řada: HEXFETMOSFET IRF530NSTRLPBF N-kanálový 17 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 18,42
€ 0,921 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
€ 18,42
€ 0,921 Each (In a Pack of 20) (bez DPH)
Štandardný
20
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
20 - 80 | € 0,921 | € 18,42 |
100 - 180 | € 0,71 | € 14,19 |
200 - 480 | € 0,663 | € 13,26 |
500 - 980 | € 0,626 | € 12,53 |
1000+ | € 0,572 | € 11,43 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Řada
HEXFET
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
37 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.