Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
23 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.54 x 4.69 x 8.77mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Jednotlivé IGBT až 20A, Infineon
Optimalizovaná měření IGBT určená pro aplikace se střední frekvencí s rychlou odezvou, která poskytuje uživateli nejvyšší dostupnou účinnost. Tato zařízení využívají diody Fred Diod optimalizované pro zajištění nejlepšího výkonu s IGBT
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,31
Each (bez DPH)
1
€ 1,31
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 1,31 |
10 - 49 | € 1,26 |
50 - 99 | € 1,24 |
100 - 249 | € 1,21 |
250+ | € 1,17 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
InfineonDauer-Kollektorstrom max.
23 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
600 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Počet kolíků
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
10.54 x 4.69 x 8.77mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Jednotlivé IGBT až 20A, Infineon
Optimalizovaná měření IGBT určená pro aplikace se střední frekvencí s rychlou odezvou, která poskytuje uživateli nejvyšší dostupnou účinnost. Tato zařízení využívají diody Fred Diod optimalizované pro zajištění nejlepšího výkonu s IGBT
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.