Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Transistor-Typ
PNP
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Maximální provozní frekvence
200MHz
Gehäusegröße
SOT-23-8
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Brand
InfineonAbmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Transistor-Typ
PNP
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
600 mA
Maximální provozní frekvence
200MHz
Gehäusegröße
SOT-23-8
Maximální ztrátový výkon
330 mW
Brand
InfineonAbmessungen
2.9 x 1.3 x 0.9mm