řada: HEXFETTranzistor MOSFET IRF7807ZPBF N-kanálový 11 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8

Skladové číslo RS: 650-4097Značka: International RectifierČíslo dielu výrobcu: IRF7807ZPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

11 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7,2 nC při 4,5 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

5mm

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

řada: HEXFETTranzistor MOSFET IRF7807ZPBF N-kanálový 11 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8
Vyberte typ balenia

P.O.A.

řada: HEXFETTranzistor MOSFET IRF7807ZPBF N-kanálový 11 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

11 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SOIC, SOIC

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

8

Maximální odpor kolektor/zdroj

14 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

2.5 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

4mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

7,2 nC při 4,5 V

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

5mm

Řada

HEXFET

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1.5mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať