řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN140N30P N-kanálový 115 A 300 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 920-0748Značka: IXYSČíslo dielu výrobcu: IXFN140N30P
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

115 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

300 V

Řada

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

24 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Maximální ztrátový výkon

700 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

25.07mm

Počet prvků na čip

1

Länge

38.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

185 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.6mm

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 330,15

€ 33,015 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN140N30P N-kanálový 115 A 300 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 330,15
20€ 660,30
30€ 990,45
40€ 1 320,60
50€ 1 650,75
60€ 1 980,90
70€ 2 311,05
80€ 2 641,20
90€ 2 971,35
100€ 3 301,50
110€ 3 631,65
120€ 3 961,80
130€ 4 291,95
140€ 4 622,10
150€ 4 952,25

€ 330,15

€ 33,015 Each (In a Tube of 10) (bez DPH)

řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN140N30P N-kanálový 115 A 300 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 330,15
20€ 660,30
30€ 990,45
40€ 1 320,60
50€ 1 650,75
60€ 1 980,90
70€ 2 311,05
80€ 2 641,20
90€ 2 971,35
100€ 3 301,50
110€ 3 631,65
120€ 3 961,80
130€ 4 291,95
140€ 4 622,10
150€ 4 952,25

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

IXYS

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

115 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

300 V

Řada

HiperFET, Polar

Gehäusegröße

SOT-227

Montage-Typ

Upevnění šroubem

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

24 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

5V

Maximální ztrátový výkon

700 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

25.07mm

Počet prvků na čip

1

Länge

38.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

185 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.6mm

Krajina pôvodu

United States

Podrobnosti o výrobku

N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™

Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more