Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
37 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Gehäusegröße
SOT-227B
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
220 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
6.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
890 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
25.07mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
305 nC při 10 V
Höhe
9.6mm
Řada
Polar HiPerFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
37 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1000 V
Gehäusegröße
SOT-227B
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
220 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
6.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3.5V
Maximální ztrátový výkon
890 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
25.07mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
38.23mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
305 nC při 10 V
Höhe
9.6mm
Řada
Polar HiPerFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS