řada: HiperFET, PolarMOSFET IXFN80N50P N-kanálový 66 A 500 V, SOT-227, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
66 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
HiperFET, Polar
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
700 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
38.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
195 nC při 10 V
Breite
25.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 33,30
€ 33,30 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 33,30
€ 33,30 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 4 | € 33,30 |
| 5+ | € 27,30 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
IXYSTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
66 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
HiperFET, Polar
Gehäusegröße
SOT-227
Montage-Typ
Upevnění šroubem
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
700 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
38.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
195 nC při 10 V
Breite
25.07mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.6mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel a rychlou intronickou diodou (HiPerFET™) od IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products