Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-1 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-1,9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-0.00005mA
Höhe
1.7mm
Breite
3.7mm
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Darlington Transistory, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp tranzistoru
PNP
Dauer-Kollektorstrom max.
-1 A
Kollektor-Emitter-
60 V
Maximální bázové napětí emitoru
-5 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
-1,9 V
Maximální bázové napětí kolektoru
-80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
-1.3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
-0.00005mA
Höhe
1.7mm
Breite
3.7mm
Maximální ztrátový výkon
1.25 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.7mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku