MOSFET PMV48XP,215 P-kanálový 3,5 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.25V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Maximální ztrátový výkon
415 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 15,01
€ 0,50 Each (In a Pack of 30) (bez DPH)
Štandardný
30
€ 15,01
€ 0,50 Each (In a Pack of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 0,50 | € 15,01 |
| 60 - 120 | € 0,475 | € 14,24 |
| 150 - 270 | € 0,30 | € 9,00 |
| 300 - 570 | € 0,233 | € 7,00 |
| 600+ | € 0,183 | € 5,48 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
NexperiaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
55 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.25V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.75V
Maximální ztrátový výkon
415 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products