Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
12 → 30mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
10 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
2.5pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
12 → 30mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
10 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
2.5pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.