onsemi 600V 6A, Silicon Junction Diode, 2-Pin Case 194 MR756RLG
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
Case 194
Maximální stejnosměrný propustný proud
6A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
600V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
900mV
Počet prvků na čip
1
Durchmesser
8.69mm
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
400A
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorMontage-Typ
Through Hole
Gehäusegröße
Case 194
Maximální stejnosměrný propustný proud
6A
Špičkové závěrné napětí opakovaně
600V
Diodová konfigurace
Single
Typ diody
Silicon Junction
Pinanzahl
2
Maximální pokles propustného napětí
900mV
Počet prvků na čip
1
Durchmesser
8.69mm
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
400A