Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29 nC při 10 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor
Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.
Charakteristiky a výhody:
Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
TCS s vysokou hustotou
Vysoký sytost proudu
vynikající přepínání
Velmi odolný a spolehlivý výkon
Technologie DMOS
Aplikace:
Přepínání zatížení
DC/DC převodník
Ochrana baterií
Ovládání řízení spotřeby
Ovládání motoru stejnosměrným proudem
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
5
P.O.A.
Štandardný
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT223
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
90 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
29 nC při 10 V
Breite
3.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Podrobnosti o výrobku
Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor
Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.
Charakteristiky a výhody:
Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím
TCS s vysokou hustotou
Vysoký sytost proudu
vynikající přepínání
Velmi odolný a spolehlivý výkon
Technologie DMOS
Aplikace:
Přepínání zatížení
DC/DC převodník
Ochrana baterií
Ovládání řízení spotřeby
Ovládání motoru stejnosměrným proudem
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.