Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
65 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
380 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.2 x 1.35 x 1mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
100 mA
Maximální napětí emitoru/kolektoru
65 V
Gehäusegröße
SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
380 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální bázové napětí kolektoru
80 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
6
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
2.2 x 1.35 x 1mm