Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
350 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
65 W
Konfigurace tranzistoru
Kaskádový zesilovač
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-18 V, +18 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.53mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,2 nC při 4,5 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
GaN
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2.1V
Höhe
15.75mm
Krajina pôvodu
Philippines
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
350 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
65 W
Konfigurace tranzistoru
Kaskádový zesilovač
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-18 V, +18 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.53mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,2 nC při 4,5 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
GaN
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2.1V
Höhe
15.75mm
Krajina pôvodu
Philippines