Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
37 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
WDFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
13,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
20,8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Höhe
0.75mm
Řada
NTTFS4928N
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
37 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
WDFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
13,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
20,8 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
3.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.15mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Höhe
0.75mm
Řada
NTTFS4928N
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.1V