Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
287 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
120 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
6.1mm
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Řada
NVMFS5C604NL
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.05mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
287 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DFN
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,7 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
200 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Länge
5.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
120 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
6.1mm
Propustné napětí diody
1.2V
Automobilový standard
AEC-Q101
Řada
NVMFS5C604NL
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.05mm
Podrobnosti o výrobku