Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
30 W
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
10
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ON SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
30 W
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
1 MHz
Pinanzahl
4
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
10.28 x 4.82 x 15.75mm