Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
2500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Maximální ztrátový výkon
75 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Länge
15.75mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,761
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,761
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,761 | € 38,05 |
100 - 450 | € 0,715 | € 35,75 |
500 - 950 | € 0,697 | € 34,83 |
1000+ | € 0,679 | € 33,96 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
2500
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Betriebstemperatur max.
150 °C
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Maximální ztrátový výkon
75 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Länge
15.75mm