Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Maximální ztrátový výkon
75 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,918
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
€ 0,918
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
100
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4.5 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Maximální ztrátový výkon
75 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
4.82mm
Breite
10.28mm
Abmessungen
15.75 x 10.28 x 4.82mm
Podrobnosti o výrobku
NPN Darlington Transistory on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.