Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A stejnosm
Kollektor-Emitter-
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-225
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2,8 V.
Höhe
11.1mm
Breite
3mm
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
7.8 x 3 x 11.1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
7.8mm
Krajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
500
P.O.A.
500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
4 A stejnosm
Kollektor-Emitter-
60 V dc
Maximální bázové napětí emitoru
5 V dc
Gehäusegröße
TO-225
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfiguration
Single
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Minimální proudový zisk DC
750
Maximální bázové napětí kolektoru
60 V dc
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
2,8 V.
Höhe
11.1mm
Breite
3mm
Maximální ztrátový výkon
40 W
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Abmessungen
7.8 x 3 x 11.1mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
7.8mm
Krajina pôvodu
China