Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
65 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PQFN8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
107 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Breite
5.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
5.1mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.25V
Krajina pôvodu
Philippines
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
65 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Gehäusegröße
PQFN8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
107 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±16 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
48 nC při 10 V
Breite
5.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
5.1mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.25V
Krajina pôvodu
Philippines