Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Schottkyho SiC
Pinanzahl
3
Typ diody
SiC Schottky
Typ usměrňovače
Schottky Diode
Diodová konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Maximální stejnosměrný propustný proud
22.5A
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
530A
Gehäusegröße
TO-252-3L
Baterie
3 x AAA BatteryKrajina pôvodu
China
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,70
Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 2,70
Each (bez DPH)
Štandardný
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Diodová technologie
Schottkyho SiC
Pinanzahl
3
Typ diody
SiC Schottky
Typ usměrňovače
Schottky Diode
Diodová konfigurace
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Špičkové závěrné napětí opakovaně
1200V
Maximální stejnosměrný propustný proud
22.5A
Špičkový propustný nárazový proud při jednorázové špičce
530A
Gehäusegröße
TO-252-3L
Baterie
3 x AAA BatteryKrajina pôvodu
China