Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Höhe
6.35mm
Breite
2.38mm
Maximální ztrátový výkon
20 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,508
Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
€ 0,508
Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
75 - 75 | € 0,508 | € 38,11 |
150 - 300 | € 0,478 | € 35,83 |
375+ | € 0,457 | € 34,29 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
2 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Konfigurace tranzistoru
Single
Počet prvků na čip
1
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální bázové napětí při saturaci emitoru
4 V
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
3 V
Maximální zbytkový proud kolektoru
20µA
Höhe
6.35mm
Breite
2.38mm
Maximální ztrátový výkon
20 W
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Abmessungen
6.73 x 2.38 x 6.35mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm