Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-80 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
90 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory PnP, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTransistor-Typ
PNP
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
-8 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
-80 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
1.75 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
90 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
2.38 x 6.73 x 6.22mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory PnP, on Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.