Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfiguration
Jednoduché
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.04mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,245
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
500
€ 0,245
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
500
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
500 - 950 | € 0,245 | € 12,25 |
1000+ | € 0,213 | € 10,63 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
20mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
15 V
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfiguration
Jednoduché
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
30 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.9 x 1.3 x 1.04mm
Breite
1.3mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.9mm
Höhe
1.04mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.