Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 5mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,23
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
€ 0,23
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
Štandardný
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
25 - 75 | € 0,23 | € 5,74 |
100 - 225 | € 0,198 | € 4,95 |
250 - 475 | € 0,172 | € 4,29 |
500 - 975 | € 0,151 | € 3,77 |
1000+ | € 0,137 | € 3,43 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
min. 5mA
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-35 V
Maximální napětí kolektor/řídicí elektroda
35V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Maximální odpor kolektor/zdroj
50 Ω
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Kapacitance kolektor/řídicí dioda
28pF
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
28pF
Abmessungen
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.92mm
Höhe
0.93mm
Breite
1.3mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.