Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Breite
1.4mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,25
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
€ 0,25
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
N
Zbytkový proud drain-source Idss
24 to 60mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Konfigurace tranzistoru
Single
Konfiguration
Single
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOT-23-8
Pinanzahl
3
Zdrojová kapacitance řídicí elektrody v zap. stavu
5pF
Abmessungen
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.04mm
Höhe
1.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Breite
1.4mm
Podrobnosti o výrobku
N-kanálový JFET, on Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.