Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
100 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
349 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Kapacitance hradla
3085pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 4,19
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 4,19
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 90 | € 4,19 | € 125,70 |
120 - 240 | € 3,35 | € 100,50 |
270 - 480 | € 3,17 | € 95,10 |
510 - 990 | € 3,04 | € 91,20 |
1020+ | € 2,97 | € 89,10 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiDauer-Kollektorstrom max.
100 A
Kollektor-Emitter-
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
±20V
Maximální ztrátový výkon
349 W
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
3
Rychlost spínání
1MHz
Konfigurace tranzistoru
Single
Abmessungen
16.25 x 5.3 x 21.4mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Kapacitance hradla
3085pF
Maximální pracovní teplota
175 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
IGBT Discretes, ON Semiconductor
Izolované bipolární tranzistory hradla (IGBT) pro pohon motoru a další aplikace s vysokoproudovým spínáním.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.