MOSFET NTJD4152PT1G P-kanálový 880 mA 20 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si

Skladové číslo RS: 780-0611Značka: onsemiČíslo dielu výrobcu: NTJD4152PT1G
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

880 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

1 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

350 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

2.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2,2 nC při 4,5 V

Breite

1.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1mm

Podrobnosti o výrobku

Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 0,092

Each (In a Pack of 25) (bez DPH)

MOSFET NTJD4152PT1G P-kanálový 880 mA 20 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Vyberte typ balenia

€ 0,092

Each (In a Pack of 25) (bez DPH)

MOSFET NTJD4152PT1G P-kanálový 880 mA 20 V, SOT-363, počet kolíků: 6 dvojitý Izolovaný Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

onsemi

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

880 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-363

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

1 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

350 mW

Konfigurace tranzistoru

Isolated

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Počet prvků na čip

2

Betriebstemperatur max.

150 °C

Länge

2.2mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

2,2 nC při 4,5 V

Breite

1.35mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

1mm

Podrobnosti o výrobku

Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more