Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
880 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,2 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Duální, S-kanálem P MOSFET, on Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,354
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
€ 0,354
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
25 - 50 | € 0,354 | € 8,85 |
75 - 125 | € 0,243 | € 6,07 |
150 - 275 | € 0,152 | € 3,80 |
300 - 575 | € 0,145 | € 3,62 |
600+ | € 0,14 | € 3,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
onsemiTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
880 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-363
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
350 mW
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
2
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,2 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku