IGBT modul SEMiX303GB12E4p N-kanálový 469 A 1200 V, SEMiX®3p, počet kolíků: 11 Sériové zapojení

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Semikron DanfossMaximální stejnosměrný proud kolektoru
469 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
20V
Konfigurace
Series
Gehäusegröße
SEMiX®3p
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
11
Konfigurace tranzistoru
Series
Maximální pracovní teplota
175 °C
Abmessungen
150 x 62.4 x 17mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Breite
62.4mm
Podrobnosti o výrobku
Duální IGBT moduly SEmiX®
Duální IGBT moduly Semikron v moderních nízkoprofilových balíčcích SEmiX® vhodných pro aplikace řízení výkonu na polovině můstku. Moduly používají pájecí pružinu nebo lisované kontakty, které umožňují montáž ovladače uzávěru přímo na Top modulu, čímž šetří místo a nabízejí větší spolehlivost připojení. Mezi typické aplikace patří převodníky střídavého proudu, UPS, elektronické svařovací a obnovitelné energetické systémy.
Vhodné moduly ovladače zadních výklopných dveří pro zalisování viz 122-0385 až 122-0387
Montážní sada bez pájených profilů
Trenchgate technologie IGBT
VCE(sat) má kladný teplotní koeficient
Možnost vysokého zkratového proudu
Nalisujte kolíky jako pomocné kontakty
uznána organizací UL
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
€ 211,85
€ 211,85 Each (bez DPH)
1
€ 211,85
€ 211,85 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Semikron DanfossMaximální stejnosměrný proud kolektoru
469 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
1200 V
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor
20V
Konfigurace
Series
Gehäusegröße
SEMiX®3p
Montage-Typ
Through Hole
Typ kanálu
N
Pinanzahl
11
Konfigurace tranzistoru
Series
Maximální pracovní teplota
175 °C
Abmessungen
150 x 62.4 x 17mm
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Breite
62.4mm
Podrobnosti o výrobku
Duální IGBT moduly SEmiX®
Duální IGBT moduly Semikron v moderních nízkoprofilových balíčcích SEmiX® vhodných pro aplikace řízení výkonu na polovině můstku. Moduly používají pájecí pružinu nebo lisované kontakty, které umožňují montáž ovladače uzávěru přímo na Top modulu, čímž šetří místo a nabízejí větší spolehlivost připojení. Mezi typické aplikace patří převodníky střídavého proudu, UPS, elektronické svařovací a obnovitelné energetické systémy.
Vhodné moduly ovladače zadních výklopných dveří pro zalisování viz 122-0385 až 122-0387
Montážní sada bez pájených profilů
Trenchgate technologie IGBT
VCE(sat) má kladný teplotní koeficient
Možnost vysokého zkratového proudu
Nalisujte kolíky jako pomocné kontakty
uznána organizací UL
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.