Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
80 W
Minimální proudový zisk DC
8
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
800 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,12
Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
€ 1,12
Each (In a Tube of 75) (bez DPH)
75
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
75 - 75 | € 1,12 | € 84,00 |
150 - 300 | € 0,84 | € 63,00 |
375+ | € 0,76 | € 57,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp tranzistoru
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
5 A
Kollektor-Emitter-
400 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
80 W
Minimální proudový zisk DC
8
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
800 V
Maximální bázové napětí emitoru
9 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximální pracovní teplota
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.