Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Maximální napětí emitoru/kolektoru
125 V
Gehäusegröße
TO-3
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
300 W
Maximální bázové napětí kolektoru
200 V
Maximální bázové napětí emitoru
7 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Abmessungen
8.7 x 39.5 x 26.2mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Bipolární tranzistor BUT100 NPN 125 V, TO-3, počet kolíků: 3
1
P.O.A.
Bipolární tranzistor BUT100 NPN 125 V, TO-3, počet kolíků: 3
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Maximální napětí emitoru/kolektoru
125 V
Gehäusegröße
TO-3
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
300 W
Maximální bázové napětí kolektoru
200 V
Maximální bázové napětí emitoru
7 V
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+200 °C
Abmessungen
8.7 x 39.5 x 26.2mm