Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsVerstärker-Typ
JFET
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Typ napájení
Dvojité
Počet kanálů na čip
4
Pinanzahl
14
Typická hodnota GBWP
4MHz
Typické duální napájecí napětí
±15V
Flankensteilheit typ.
16V/µs
Betriebstemperatur min.
0 °C
Betriebstemperatur max.
70 °C
Rail-to-Rail
No
Maximální vstupní napětí
18 V
Výstupní proud
60 mA
Ofsetové napětí
13mV
Spannungsverstärkung typ.
106 dB
Vstupní vyrovnávací proud
4nA
Minimální vstupní napětí
-18 V
Typická hustota šumu vstupního napětí
15nV/√Hz
Länge
8.75mm
Höhe
1.6mm
Breite
4mm
Rozsah vstupního napětí
±18 V
Abmessungen
8.75 x 4 x 1.6mm
Krajina pôvodu
Morocco
Podrobnosti o výrobku
Vstupy LF347, LF351, LF353, JFET, nízkovstupní signály a střídavé provozní zesilovače
LF347, LF351 a LF353 jsou vysokorychlostní provozní zesilovače JFET, které obsahují shodné vysokonapěťové JFET a bipolární tranzistory. Jsou vybaveny vysokými dávkami, nízkým vstupním proudovým zkreslením a offsetovým proudem a teplotním součinitelem s nízkým ofsetovým napětím.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
20
P.O.A.
Štandardný
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsVerstärker-Typ
JFET
Montage-Typ
Surface Mount
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Typ napájení
Dvojité
Počet kanálů na čip
4
Pinanzahl
14
Typická hodnota GBWP
4MHz
Typické duální napájecí napětí
±15V
Flankensteilheit typ.
16V/µs
Betriebstemperatur min.
0 °C
Betriebstemperatur max.
70 °C
Rail-to-Rail
No
Maximální vstupní napětí
18 V
Výstupní proud
60 mA
Ofsetové napětí
13mV
Spannungsverstärkung typ.
106 dB
Vstupní vyrovnávací proud
4nA
Minimální vstupní napětí
-18 V
Typická hustota šumu vstupního napětí
15nV/√Hz
Länge
8.75mm
Höhe
1.6mm
Breite
4mm
Rozsah vstupního napětí
±18 V
Abmessungen
8.75 x 4 x 1.6mm
Krajina pôvodu
Morocco
Podrobnosti o výrobku
Vstupy LF347, LF351, LF353, JFET, nízkovstupní signály a střídavé provozní zesilovače
LF347, LF351 a LF353 jsou vysokorychlostní provozní zesilovače JFET, které obsahují shodné vysokonapěťové JFET a bipolární tranzistory. Jsou vybaveny vysokými dávkami, nízkým vstupním proudovým zkreslením a offsetovým proudem a teplotním součinitelem s nízkým ofsetovým napětím.