Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.4mm
Řada
MDmesh
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
360 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.6mm
Breite
6.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.4mm
Řada
MDmesh