Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0,125 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
16.4mm
Řada
STripFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
0,125 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
28 nC při 10 V
Breite
4.6mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
16.4mm
Řada
STripFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C