řada: STripFETMOSFET STP19NF20 N-kanálový 15 A 200 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.15mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 41,89
€ 0,838 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 41,89
€ 0,838 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,838 | € 41,89 |
| 100 - 200 | € 0,816 | € 40,79 |
| 250 - 450 | € 0,795 | € 39,74 |
| 500+ | € 0,775 | € 38,75 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
160 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
90 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.6mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.4mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.15mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products