Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
34 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
84 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 3,82
Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 3,82
Each (bez DPH)
Štandardný
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 4 | € 3,82 |
5 - 9 | € 3,63 |
10 - 24 | € 3,27 |
25 - 49 | € 2,93 |
50+ | € 2,77 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Řada
STripFET
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
34 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
84 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.4mm
Breite
4.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
15.75mm
Podrobnosti o výrobku