Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
DS BGA
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
15,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
1,9 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,6 nC při 0 V
Breite
1.49mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
0.28mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
DS BGA
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
15,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
1,9 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,6 nC při 0 V
Breite
1.49mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
0.28mm