Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
5,6 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.9V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Breite
5mm
Počet prvků na čip
1
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku