Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 4,5 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,006
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 1,006
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,006 | € 5,03 |
25 - 45 | € 0,956 | € 4,78 |
50 - 120 | € 0,864 | € 4,32 |
125 - 245 | € 0,772 | € 3,86 |
250+ | € 0,738 | € 3,69 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
75 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
40 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
9,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 4,5 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku