Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 4,5 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,99
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
€ 0,99
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Cievka |
---|---|---|
5 - 45 | € 0,99 | € 4,95 |
50 - 95 | € 0,79 | € 3,95 |
100+ | € 0,60 | € 3,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Řada
NexFET
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
8.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.5V
Maximální ztrátový výkon
3.2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 4,5 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku