řada: NexFETMOSFET CSD18536KTTT N-kanálový 349 A 60 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
349 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
230 nC při 10 V
Breite
11.33mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1V
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
349 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Maximální ztrátový výkon
375 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
230 nC při 10 V
Breite
11.33mm
Počet prvků na čip
1
Propustné napětí diody
1V
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku