řada: FemtoFETMOSFET CSD25481F4 P-kanálový 2,5 A 20 V, PICOSTAR, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
800 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,913 nC při 4,5 V
Breite
0.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
FemtoFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.35mm
Podrobnosti o výrobku
P-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Štandardný
10
P.O.A.
Štandardný
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
800 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,913 nC při 4,5 V
Breite
0.6mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
FemtoFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.35mm
Podrobnosti o výrobku
P-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products