Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
55 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip
7
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
1.45mm
Abmessungen
9.91 x 3.91 x 1.45mm
Maximální pracovní teplota
+125 °C
Länge
9.91mm
Breite
3.91mm
Podrobnosti o výrobku
Pole s tranzistorem Darlington, Texas Instruments
Řada tranzistorových polí Darlington od společnosti Texas Instruments je vhodná pro širokou řadu aplikací budičů se středním až vysokým proudem.
Darlington Transistor Drivers
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp tranzistoru
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Kollektor-Emitter-
55 V
Maximální bázové napětí emitoru
6 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Anzahl der Elemente pro Chip
7
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.
1.6 V
Betriebstemperatur min.
-40 °C
Höhe
1.45mm
Abmessungen
9.91 x 3.91 x 1.45mm
Maximální pracovní teplota
+125 °C
Länge
9.91mm
Breite
3.91mm
Podrobnosti o výrobku
Pole s tranzistorem Darlington, Texas Instruments
Řada tranzistorových polí Darlington od společnosti Texas Instruments je vhodná pro širokou řadu aplikací budičů se středním až vysokým proudem.