Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Počet prvků na čip
7
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.6 V
Höhe
1.58mm
Abmessungen
9.9 x 3.91 x 1.58mm
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Länge
9.9mm
Breite
3.91mm
Betriebstemperatur max.
70 °C
Podrobnosti o výrobku
Pole s tranzistorem Darlington, Texas Instruments
Řada tranzistorových polí Darlington od společnosti Texas Instruments je vhodná pro širokou řadu aplikací budičů se středním až vysokým proudem.
Darlington Transistor Drivers
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
P.O.A.
Výrobné balenie (Tuba)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTransistor-Typ
NPN
Dauer-Kollektorstrom max.
0,5 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
50 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
16
Konfigurace tranzistoru
Common Emitter
Počet prvků na čip
7
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.6 V
Höhe
1.58mm
Abmessungen
9.9 x 3.91 x 1.58mm
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Länge
9.9mm
Breite
3.91mm
Betriebstemperatur max.
70 °C
Podrobnosti o výrobku
Pole s tranzistorem Darlington, Texas Instruments
Řada tranzistorových polí Darlington od společnosti Texas Instruments je vhodná pro širokou řadu aplikací budičů se středním až vysokým proudem.