Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PW Mold
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
5.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.3mm
Podrobnosti o výrobku
MOSFET, řada P-Channel, 2SJ, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
PW Mold
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
170 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
20 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
5.5mm
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.5mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.3mm
Podrobnosti o výrobku