řada: DTMOSIVMOSFET TK16E60W5,S1VX(S N-kanálový 15,8 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si

Skladové číslo RS: 125-0541Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK16E60W5,S1VX(S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

15.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Řada

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

230 m. Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

130 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

4.45mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

43 nC při 10 V

Höhe

15.1mm

Propustné napětí diody

1.7V

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 1,228

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK16E60W5,S1VX(S N-kanálový 15,8 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si

€ 1,228

Each (In a Pack of 5) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK16E60W5,S1VX(S N-kanálový 15,8 A 600 V, TO-220, počet kolíků: 3 Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Kúpiť hromadne

množstvoJednotková cenaBalík
5 - 20€ 1,228€ 6,14
25 - 45€ 0,74€ 3,70
50 - 120€ 0,678€ 3,39
125 - 245€ 0,668€ 3,34
250+€ 0,664€ 3,32

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

15.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Řada

DTMOSIV

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

230 m. Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

4.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

3V

Maximální ztrátový výkon

130 W

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

4.45mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

10.16mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

43 nC při 10 V

Höhe

15.1mm

Propustné napětí diody

1.7V

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more