Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
230 m. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.45mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
43 nC při 10 V
Höhe
15.1mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,228
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,228
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
5 - 20 | € 1,228 | € 6,14 |
25 - 45 | € 0,74 | € 3,70 |
50 - 120 | € 0,678 | € 3,39 |
125 - 245 | € 0,668 | € 3,34 |
250+ | € 0,664 | € 3,32 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
DTMOSIV
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
230 m. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
130 W
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.45mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.16mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
43 nC při 10 V
Höhe
15.1mm
Propustné napětí diody
1.7V
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku