Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
40.5mm
Breite
4.8mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
TK
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
19mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku
MOSFET N-Channel, řada TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
ToshibaTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
15 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
190 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
27 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
40.5mm
Breite
4.8mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
TK
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
19mm
Krajina pôvodu
Japan
Podrobnosti o výrobku