řada: DTMOSIVMOSFET TK7P65W,RQ(S N-kanálový 6,8 A 650 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 133-2801Značka: ToshibaČíslo dielu výrobcu: TK7P65W,RQ(S
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

650 V

Řada

DTMOSIV

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

800 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

60 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

6.1mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

6.6mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 10 V

Höhe

2.3mm

Propustné napětí diody

1.7V

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 6,96

€ 0,696 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK7P65W,RQ(S N-kanálový 6,8 A 650 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 6,96
20€ 13,92
30€ 20,88
40€ 27,84
50€ 34,80
60€ 41,76
70€ 48,72
80€ 55,68
90€ 62,64
100€ 69,60
110€ 76,56
120€ 83,52
130€ 90,48
140€ 97,44
150€ 104,40

€ 6,96

€ 0,696 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

řada: DTMOSIVMOSFET TK7P65W,RQ(S N-kanálový 6,8 A 650 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

10

Dostupné v násobkoch 10
10€ 6,96
20€ 13,92
30€ 20,88
40€ 27,84
50€ 34,80
60€ 41,76
70€ 48,72
80€ 55,68
90€ 62,64
100€ 69,60
110€ 76,56
120€ 83,52
130€ 90,48
140€ 97,44
150€ 104,40

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Toshiba

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

6.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

650 V

Řada

DTMOSIV

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

800 m Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

3.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Maximální ztrátový výkon

60 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

6.1mm

Počet prvků na čip

1

Betriebstemperatur max.

150 °C

Materiál tranzistoru

Si

Länge

6.6mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

15 nC při 10 V

Höhe

2.3mm

Propustné napětí diody

1.7V

Krajina pôvodu

Japan

Podrobnosti o výrobku

MOSFET N-Channel, řada TK6 a TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more